机译:具有逐步梯度Al x Ga 1?x N缓冲层的GaN MSM UV光电探测器的选择性增强的UV-A光响应性
机译:MBE在MS(MSM)紫外光电探测器应用中通过MBE在Si(111)衬底上生长的AlxGa1-xN / GaN / AlN异质结构
机译:具有溅射AlN成核层的GaN MSM UV光电探测器
机译:使用ITO肖特基电极的GaN MSM光电探测器中的UV-A选择性光响应性
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:具有逐步梯度AlxGa1-xN缓冲层的GaN MSM UV光电探测器的选择性增强的UV-A光响应性
机译:基于AlxGA1-XN缓冲层的AlGaN / GaN / AlxGa1-XN Hemt击穿特性的改善